- Home
- Dipartimento
- Ricerca
- Didattica
- Post Lauream
- Trasferimento della conoscenza
- Come fare per
Rivelatori al diamante sintetico
Gli esperimenti di Fisica delle Alte Energie alle future machine acceleratrici quali la Super B-Factory e il Linear Collider richiederanno rivelatori di tracciamento e di vertice in grado di operare ad altissime frequenze di conteggio e che siano molto leggeri e ‘trasparenti’ al passaggio delle particelle. In molti casi sarà anche necessario ottenere dai rivelatori di tracciamento informazioni globali sugli eventi, utilizzabili per un trigger di primo livello.
Il programma PRIN-2009 finanziato dal MIUR (una collaborazione tra gruppi di ricerca di diverse università) si prefigge di migliorare le prestazioni dei rivelatori a pixel per il tracciamento di particelle cariche, specificamente in situazioni di elevato tasso di conteggio, come negli strati più interni del tracciatore per la Super B-Factory. Il necessario incremento di prestazioni richiede sia una maggiore ‘velocità di risposta’ del rivelatore sia un’accresciuta ‘intelligenza’ del sistema per meglio rigettare gli eventi di fondo; allo stesso tempo sarà necessario ridurre al minimo la quantità di materiale nei vari strati del rivelatore. Nell’ambito della collaborazione, l’unità di ricerca di Trieste si concentra sul miglioramento della velocità di risposta dei rivelatori a pixel attraverso l’utilizzo di sensori intrinsecamente più veloci. Vengono considerate due possibili tecnologie: sensori al diamante e sensori su silicio con elettrodi a geometria tridimensionale (sensori 3-D). Entrambe le opzioni sono perseguite in collaborazione con il laboratorio di microfabbricazione di dispositivi al silicio presso la FBK-irst (Trento).
Il gruppo si occupa anche dell’ottimizzazione e caratterizzazione di sensori a microstriscia su silicio, in supporto agli esperimenti SuperB e ALICE, dell’ulteriore sviluppo di sensori con amplificazione interna basata sull’effetto transistore bipolare (per applicazioni nel monitoraggio ambientale) e della caratterizzazione del danno da radiazione su vari tipi di sensori al silicio.
Info
Ultimo aggiornamento: 28-11-2024 - 23:10