Nuovi Semiconduttori Composti e Nanostrutture

Le ricerche in corso riguardano la sintesi e la caratterizzazione di nuovi materiali semiconduttori composti di tipo III-V e II-VI e delle relative strutture a confinamento quantistico, quali nanofili, pozzi quantici e superreticoli. La crescita viene effettuata mediante la tecnica dell'epitassia da fasci molecolari e la caratterizzazione avviene mediante tecniche di diffrazione, sia di raggi X  che di elettroni e con l'applicazione di svariate spettroscopie ottiche ed elettroniche. Si utilizzano a tale scopo sia sorgenti convenzionali che sorgenti di radiazione di sincrotrone. Più di 300 pubblicazioni su riviste internazionali e tre brevetti sono stati prodotti nel campo della fisica dei semiconduttori, dell'epitassia da fasci molecolari, delle eterostrutture e delle interfacce dei semiconduttori, contatti metallo-semiconduttore, superreticoli, buche quantiche, laser a stato solido e delle spettroscopie e microscopie con luce di sincrotrone. Più in generale, si intende dare un contributo alla comprensione delle proprietà dei materiali semiconduttori avvicinando, in questo campo, la ricerca di base alla ricerca applicata.

Responsabile del gruppo di ricerca
Responsabile: 
Alfonso Franciosi

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Ultimo aggiornamento: 20-11-2019 - 18:50